講演情報
[14a-K210-6]InまたはCuを添加した三元系Geクラスレート薄膜の作製及び評価
〇(M1)安岡 光司1、Aye Tun Naing2、Kumar Rahul3、Jha Himanshu S.1,2、大橋 史隆1,2、久米 徹二1,2 (1.岐阜大院自、2.岐阜大工、3.岐阜高専)
キーワード：
クラスレート、ゲルマニウム、元素置換
Naを内包したII型Geクラスレートの研究を行っている。銅（Cu）とインジウム（In）を添加したGe系薄膜クラスレートを作製し、XRDを用いて結晶構造の解析を進めている。