セッション詳細
[14a-K210-1~9]13.2 探索的材料物性・基礎物性
2025年3月14日(金) 9:00 〜 11:30
K210 (講義棟)
[14a-K210-1]SrSi2の熱電特性に対するCa置換効果
〇今井 基晴1 (1.NIMS)
[14a-K210-2]熱電物性から見たInGaO3(ZnO)n大型単結晶のバルク輸送特性
〇加瀬 直樹1、峯尾 隼綺1、吉田 麻彩1、井上 禎人1、漆間 由都1、河村 優介1、宮川 宣明1 (1.東理大先進工)
[14a-K210-3]高圧下におけるMg2Si熱電材料の熱伝導測定
〇森 嘉久1,2、大上 亮2、秋元 優花1、芳野 極3 (1.岡理大理、2.岡理大院理工、3.岡大惑物研)
[14a-K210-4]Mg2Siのラマンスペクトルと第一原理計算によるフォノンダイナミクス解析
〇島野 航輔1、太田 岳宏2、高倉 健一郎2、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大、2.熊本高専)
[14a-K210-5]短波赤外イメージセンサに向けたMg2Si-PDリニアアレイの試作(II)
〇古田 良輔1、尾嶋 海人1、武井 日出人1、勝俣 響1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大工)
[14a-K210-6]InまたはCuを添加した三元系Geクラスレート薄膜の作製及び評価
〇(M1)安岡 光司1、Aye Tun Naing2、Kumar Rahul3、Jha Himanshu S.1,2、大橋 史隆1,2、久米 徹二1,2 (1.岐阜大院自、2.岐阜大工、3.岐阜高専)
[14a-K210-7]Si基板上のGe堆積処理によるSiGe混晶クラスレート膜の合成
〇(M2)西尾 健吾1、Jha Himanshu. S1、大橋 史隆1、久米 徹二1,2 (1.岐大院自、2.岐大工)
[14a-K210-8]トポロジカル絶縁体Bi2Se3/CdSe/Bi2Se3成長条件の最適化
〇山形 悠太1、日浦 由登1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)
[14a-K210-9]Observation of band structure in Bi-MoS2 contacts
〇Ruihan Wang1 (1.Science Tokyo)