講演情報
[14p-K207-15]カーボンナノチューブ薄膜を用いた全誘電体近赤外完全吸収体の製作
〇(D)川上 未央子1、高須 颯大1、西原 大志1、宮内 雄平1 (1.京大エネ研)
キーワード：
単層カーボンナノチューブ、近赤外完全吸収体
薄膜の近赤外域での吸収率を高めることは、光学センサーや波長選択エミッターなど様々な光学・熱輻射制御デバイスの性能向上に重要である。本研究では、半導体型単層カーボンナノチューブ(SWCNT)の励起子共鳴由来の光学特性を利用した、金属を用いない単純な積層構造による近赤外完全吸収体を提案する。構造制御されたSWCNT薄膜と透明誘電体材料薄膜からなる4層の構造を設計、製作し、波長1046nmでの吸収率0.96を達成したことを報告する。