講演情報
[14p-K207-16]TBD分子を用いたn型SWCNT薄膜の作製と特性評価
〇(M1)張 哲源1、曽根原 誠1、佐藤 敏郎1、金子 克美1 (1.信州大学)
キーワード：
カーボンナノチューブ、薄膜
半導体型SWCNTは，通常大気中の酸素を吸着しp型半導体の特性を示す。半導体素子への応用には，n 型半導体の特性を示すSWCNTの創出が急務となっている。 著者らは，無機系Zn/ALゾルゲル分散剤を用いたSWCNTインクから自立膜を作製し，半導体素子への応用を目指しているが，安定したn型ドーピングが困難であった。本発表では，SWCNT薄膜へのTBDを用いた新たなn型ドーピングの手法について述べる。