講演情報
[14p-K401-9]ヨウ化水素（HI）中性粒子ビームを用いたSub-5-µm GaN青色マイクロLED作製
〇大堀 大介1、王 学論2,3、寒川 誠二4,1 (1.東北大流体研、2.産総研、3.名大IMaSS、4.NYCU)
キーワード：
microLED、中性粒子ビーム
マイクロLEDメサ形成のためのプラズマエッチングによって生成される、側壁の高密度な非輻射欠陥により、内部量子効率が特にVR/ARに重要な低電流密度において大きく低下する課題がある。我々は、塩素中性粒子ビームを用いた加工による欠陥抑制を実現したが、In塩化物の揮発性が低いため、活性層であるInGaN/GaN MQW層において加工速度が低下し、In残留物が形成されることで表面粗さが増加する問題がある。これらの問題はIn濃度が上がる緑色・赤色においてより顕著な問題となると考えられる。そこで、In塩化物より揮発性が高いInヨウ化物に着目し、NB加工にHIガスを用いたHI NBにより、マイクロLED形成を試みた。本研究では、HI NBによる5 µm以下の青色GaNマイクロLEDを作製したことを報告する。