講演情報
[14p-K507-9]自作機械学習ポテンシャルを用いたシミュレーションによるSi(100)2x1水素終端表面上の過剰吸着水素の拡散過程の解析
〇稲垣 耕司1 (1.阪大院工)
キーワード：
機械学習ポテンシャル、反応過程、表面拡散
通常の安定構造を学習データとして構成されている機械学習ポテンシャルでは活性化障壁を超える反応過程を解析することは難しい。反応障壁となる原子構造を効率的に収集し、これらの構造を学習データに含めた機械学習ポテンシャルを作成する方法を開発した。また、本手法を用いたシミュレーションによりシリコン(100)2x1水素終端表面上に過剰に吸着した水素の拡散過程を解析した。これらの結果を発表する。