[14p-P02-1~20] 6.4 薄膜新材料

[14p-P02-2] ミスト化学気相成長法による二元銅化合物半導体薄膜の合成

〇庄田 伊吹¹、岡 大地¹、廣瀬 靖¹ (1.都立大院理)

キーワード：

ミスト化学気相成長法、太陽電池

二元銅化合物半導体は、アニオン種によってバンドギャップとキャリア極性を柔軟に制御できるため、光電変換素子の構成材料として有望視されている。たとえば、閃亜鉛鉱構造のCuIはバンドギャップが3.1 eVと大きく、正孔移動度が高いp型透明導電体である。一方、逆酸化レニウム構造のCu₃Nはバンドギャップが約1.0 eVで、可視光に対して高い光吸収係数を示すn型半導体である。これまで、結晶配向が揃った二元銅化合物半導体の高品質薄膜は主に真空合成技術を用いて合成されてきたが、揮発性が高いアニオンの組成制御が難しい。そこで、本研究では大気圧溶液プロセスであるミスト化学気相成長法を用いたCuIおよびCu₃N配向薄膜の合成条件を探索した。