[14p-P03-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[14p-P03-4] 単結晶AlN基板を用いて作製したN極性Al_0.2Ga_0.8N チャネルHFET

〇(M1)鈴木 仁¹、米谷 宜展¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大)

キーワード：

N極性

現在、GaNチャネルN極性トランジスタの研究が多方面から進められているが、AlGaNチャネルN極性トランジスタに関する研究事例は希少である。これまで我々は、単結晶AlN基板が高品質のGaNまたはAlGaNチャネルトランジスタの作製に非常に有用である事を報告している。本研究では、N極性面の単結晶AlN基板を下地基板としたN極性AlGaNチャネルトランジスタについてデバイス試作と評価を試みた。