2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(ポスター講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[14p-P03-1~18]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2025年3月14日(金) 13:30 〜 15:30
P03 (森戸記念体育館)

[14p-P03-1]量子補正モンテカルロシミュレーションによるInAsSb HEMTの特性予測

〇児玉 直也1、戸邉 康太1、上田 晟生1、田中 聖真1、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工)

[14p-P03-2]多元系III族窒化物による分極整合エピタキシャル構造を用いた共鳴トンネルダイオードの検討

〇(B)今泉 輝1、間瀬 晃1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)

[14p-P03-3]GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性のピークバレー比の理論解析

〇永瀬 成範1 (1.産総研)

[14p-P03-4]単結晶AlN基板を用いて作製したN極性Al0.2Ga0.8N チャネルHFET

〇(M1)鈴木 仁1、米谷 宜展1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)

[14p-P03-5]AlGaN/GaNヘテロ接合と3C/4H-SiCヘテロ接合を積層した基板の評価

〇高橋 言緒1、佐沢 洋幸1、山田 永1、紀 世陽1、田中 保宣1 (1.産総研)

[14p-P03-6]コンタクトレス光電気化学エッチングを用いたリセスゲート型AlGaN/GaN HEMTの作製と電気的特性

〇塩澤 直生1、沖 勇吾1、勝又 十勝1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)

[14p-P03-7]n-GaNのICP-RIE加工面に対する低損傷PECエッチングとその電気化学的評価

〇嶋崎 喬大1、髙橋 円空1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)

[14p-P03-8]窒化物半導体集積回路に向けたエンハンスメント型絶縁ゲートトランジスタの作製と評価

〇赤松 龍弥1、森 琢馬1、鹿田 颯吾1、古川 雅一2、若原 昭浩1、岡田 浩1 (1.豊橋技科大、2.アリエースリサーチ有限会社)

[14p-P03-9]AlON表面保護膜を用いた脱水素アニールがp-GaN MOS界面に与える影響

〇高橋 尚伸1、焦 一寧1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)

[14p-P03-10]逆バイアスアニール法によるGaNのプラズマ照射誘起欠陥の挙動評価(3)

〇田中 和希1、藤綱 真斗1、中村 成志1 (1.都立大SD)

[14p-P03-11]セシウムを蒸着したp型InGaNの光支援熱電子放出特性

〇田代 承太郎1、木村 重哉2、宮崎 久生2、荻野 明久1 (1.静大院工、2.(株) 東芝 研究開発センター)

[14p-P03-12]界面顕微光応答法による微細トレンチ構造GaN JBSダイオードの二次元評価

〇今林 弘毅1、吉村 遥翔1、太田 博2、三島 友義2、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.法政大)

[14p-P03-13]界面顕微光応答法によるAu/Ni/n型β-Ga2O3ショットキー接触の電圧印加下における劣化耐性の二次元評価

〇今林 弘毅1、澤崎 仁施1、佐々木 公平2、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

[14p-P03-14]β-Ga₂O₃（010）Fin デバイスの電気的特性のチャネル幅依存性

〇中山 智哉1、奥村 宏典1 (1.筑波大数理)
英語発表

[14p-P03-15]Impact of oxygen partial pressure on defects properties in sputtered vertical NiOx/β-Ga2O3 heterojunction diodes

〇(DC)Yun Jia1, Yui Sasaki1, Ryo Morita1, Kota Nakano1, Aboulaye Traore2, Hironori Okumura1, Takeaki Sakurai1 (1.Univ. of Tsukuba, 2.Sorbonne Paris Nord Univ.)

[14p-P03-16]HE-HAXPESによるMetal/SiC及び絶縁膜/SiC界面の非破壊電子状態分析

〇安野 聡1、西原 達平1、Vuong Van Cuong2、黒木 伸一郎2 (1.高輝度光科学研究センター、2.広島大学)

[14p-P03-17]異なる酸素および窒素含有条件下におけるアモルファスSiO2中のカーボンクラスターの形成分解傾向の分子動力学解析

〇小川 京悟1、榊間 大輝1、宮崎 桜子1、泉 聡志1 (1.東大工)

[14p-P03-18]基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン酸化膜への熱処理効果に関する検討

〇山本 英明1、鹿田 颯吾1、古川 雅一2、若原 昭浩1、岡田 浩1 (1.豊橋技科大、2.アリエースリサーチ有限会社)
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