セッション詳細
[14p-P03-1~18]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
2025年3月14日(金) 13:30 〜 15:30
P03 (森戸記念体育館)
[14p-P03-1]量子補正モンテカルロシミュレーションによるInAsSb HEMTの特性予測
〇児玉 直也1、戸邉 康太1、上田 晟生1、田中 聖真1、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工)
[14p-P03-6]コンタクトレス光電気化学エッチングを用いたリセスゲート型AlGaN/GaN HEMTの作製と電気的特性
〇塩澤 直生1、沖 勇吾1、勝又 十勝1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)
[14p-P03-8]窒化物半導体集積回路に向けたエンハンスメント型絶縁ゲートトランジスタの作製と評価
〇赤松 龍弥1、森 琢馬1、鹿田 颯吾1、古川 雅一2、若原 昭浩1、岡田 浩1 (1.豊橋技科大、2.アリエースリサーチ有限会社)
[14p-P03-11]セシウムを蒸着したp型InGaNの光支援熱電子放出特性
〇田代 承太郎1、木村 重哉2、宮崎 久生2、荻野 明久1 (1.静大院工、2.(株) 東芝 研究開発センター)
[14p-P03-12]界面顕微光応答法による微細トレンチ構造GaN JBSダイオードの二次元評価
〇今林 弘毅1、吉村 遥翔1、太田 博2、三島 友義2、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.法政大)
[14p-P03-13]界面顕微光応答法によるAu/Ni/n型β-Ga2O3ショットキー接触の電圧印加下における劣化耐性の二次元評価
〇今林 弘毅1、澤崎 仁施1、佐々木 公平2、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
[14p-P03-15]Impact of oxygen partial pressure on defects properties in sputtered vertical NiOx/β-Ga2O3 heterojunction diodes
〇(DC)Yun Jia1, Yui Sasaki1, Ryo Morita1, Kota Nakano1, Aboulaye Traore2, Hironori Okumura1, Takeaki Sakurai1 (1.Univ. of Tsukuba, 2.Sorbonne Paris Nord Univ.)
[14p-P03-16]HE-HAXPESによるMetal/SiC及び絶縁膜/SiC界面の非破壊電子状態分析
〇安野 聡1、西原 達平1、Vuong Van Cuong2、黒木 伸一郎2 (1.高輝度光科学研究センター、2.広島大学)
[14p-P03-17]異なる酸素および窒素含有条件下におけるアモルファスSiO2中のカーボンクラスターの形成分解傾向の分子動力学解析
〇小川 京悟1、榊間 大輝1、宮崎 桜子1、泉 聡志1 (1.東大工)
[14p-P03-18]基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン酸化膜への熱処理効果に関する検討
〇山本 英明1、鹿田 颯吾1、古川 雅一2、若原 昭浩1、岡田 浩1 (1.豊橋技科大、2.アリエースリサーチ有限会社)