講演情報
[14p-P05-10]窒化ガリウム結晶内部の点欠陥に対する塩素終端構造の電子状態解析
〇山岸 佑真1、屋山 巴1、本田 徹1 (1.工学院大)
キーワード：
窒化ガリウム
窒化ガリウム(GaN)結晶の成長過程で生じる欠陥はデバイスの誤作動や性能の低下を招く原因となる。本研究ではGaN結晶内部の点欠陥に対して、様々なCl終端モデルの電子状態を調べた。その結果、欠陥点に塩素原子を１つ配置したモデルでは欠陥のないモデルのDOSと似たDOSになることや、電荷密度分布ではCl原子がsp3混成軌道に似た電荷密度を形成していることからCl原子を用いて欠陥終端できる可能性があることがわかった。