セッション詳細

[14p-P05-1~12]15.4 III-V族窒化物結晶

2025年3月14日(金) 13:30 〜 15:30
P05 (森戸記念体育館)

[14p-P05-1]AlN/GaNにおける混晶化機構の解明

〇(M1)藤田 大輝1、小田 将人1、寒川 義裕2 (1.和歌山大シス工、2.九州大応力研)

[14p-P05-2]ナノテンプレート選択成長法によるSi(100)ナノインプリント基板全面への規則配列窒化物ナノコラム成長

〇織間 裕悟1、星野 航太1、富樫 理恵1,2、岸野 克巳1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

[14p-P05-3]ステップレス構造LEDを用いたマイクロLEDフィルムの作製

〇松井 壱渡1、神田 稜太1、西川 敦2、Loseing Alexander2、関口 寛人1 (1.豊橋技大、2.ALLOS)

[14p-P05-4]p-AlGaN/n-ZnOトンネル接合層を有するAlGaN LEDの作製と評価

〇(M2)小島 苑珠1、浮田 駿1、田尻 武義1、内田 和男1 (1.電通大)

[14p-P05-5]AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたUVセンサーの作製と評価

〇白須 翔1、森田 廉1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)

[14p-P05-6]THz-TDSEによるAlGaN/GaN-HEMTの非接触・非破壊電気特性測定の検討

〇藤井 高志1,2、山田 大進1、岩本 俊志2、荒木 努1 (1.立命館大学、2.日邦プレシジョン)

[14p-P05-7]陽極酸化順バイアス条件および逆バイアス条件にて電気化学的通電をしたAlGaN/GaNヘテロ構造の電気伝導特性

〇森田 廉1、安藤 陸1、福井 駿1、須田 順子1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)

[14p-P05-8]陽極酸化順バイアス条件および逆バイアス条件にて電気化学的通電をしたn-GaNの電気伝導特性

〇安藤 陸1、森田 廉1、井浦 隆斗1、李 照北1、須田 順子1、神尾 岳1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)

[14p-P05-9]プラズマLPE法によるGaN層の成長(III)

〇廣瀬 大輝1、中川 治紀1、三根 秀斗1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

[14p-P05-10]窒化ガリウム結晶内部の点欠陥に対する塩素終端構造の電子状態解析

〇山岸 佑真1、屋山 巴1、本田 徹1 (1.工学院大)

[14p-P05-11]MOVPE法で作製したGaNナノ結晶光触媒による水素生成

〇次六 寛明1、影島 洋介2、錦織 広昌2 (1.セイコーエプソン(株)、2.信州大)

[14p-P05-12]光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子における結晶品質改善に向けた検討

〇石田 颯汰朗1、小嶋 智輝1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)