[14p-P05-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-P05-2] ナノテンプレート選択成長法によるSi(100)ナノインプリント基板全面への規則配列窒化物ナノコラム成長

〇織間 裕悟¹、星野 航太¹、富樫 理恵^1,2、岸野 克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

キーワード：

InGaN