[15a-K207-1~11] 17.2 グラフェン

9:15 〜 9:30

[15a-K207-2] 歪みグラフェン量子ドットの形成と電子状態評価

田中 夏帆¹、内田 祥汰²、杉山 宏一²、碇 智徳²、ビシコフスキー アントン¹、〇田中 悟¹ (1.九大院工、2.宇部高専)

キーワード：

グラフェン、量子ドット、擬磁場

SiC(0001)上のグラフェンバッファー層の水素インターカレーショ初期において、グラフェン量子ドットが形成される。界面構造の変化によりグラフェンには格子歪みが生じるため、電子は擬磁場の影響を受け電子状態（エネルギーギャップやランダウ準位）が変化する。ラマン分光およびSTM/STSにより、電子状態と歪み（ドットサイズ）の関係を調べた結果を報告する｡