[15a-K302-1~11] 13.9 化合物太陽電池

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[15a-K302-2] Ag前駆体層による低温成長CIGSe太陽電池の性能向上

〇(D)阿部 鷹介¹、西村 昂人¹、山田 明¹ (1.Science Tokyo工)

キーワード：

太陽電池、薄膜太陽電池

CIGSe太陽電池のさらなるブレイクスルーに向け、両面受光化やタンデム化の実現が期待されている。一方で、CIGSe層の成長には一般に600℃程度の基板温度が必要とされ、この高温プロセスによる下地へのダメージや異相形成が、両面受光化及びタンデム化における問題となっている。これに対し、本研究ではAg添加による低温での高品質CIGSe層の作製を試み、350℃の低温成膜において15.3%の変換効率を達成した。