[15a-K302-1~11] 13.9 化合物太陽電池

10:45 〜 11:00

[15a-K302-7] ミストCVD法を用いたZn(O, S)薄膜の作製および組成制御

〇船木 顕広¹、荒木 耀平¹、西村 昂人¹、山田 明¹ (1.東京科学大工)

キーワード：

薄膜太陽電池、バッファ層、ミストCVD

CIGSe太陽電池のバッファ層として広く利用されるCdSは，短波長域での光損失や環境負荷が課題である．Zn(O, S)はCdSに代わるバッファ層材料として期待されており，S/(S+O)比率の調整により光学的特性の制御が可能である．今回，低コスト化が期待できるミストCVD法を用いてZn(O, S)薄膜を作製し，ZnOからZnSまで連続的な組成制御が可能であることを確認したため報告する．