[15a-K309-1~8] 3.9 光量子物理・技術

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[15a-K309-3] ¹⁶⁷Er³⁺:Y₂SiO₅におけるサイト２での ZEFOZ 遷移とその磁気揺らぎ耐性

〇(M2)松浦 求磨¹、安井 翔一郎¹、鍜治 怜奈¹、俵 毅彦²、足立 智¹ (1.北大院工、2.日大)

キーワード：

量子メモリ、量子情報