講演情報
[15a-K501-3]O2-アニオンを選択的変位したエピタキシャルSnO2薄膜/r-Al2O3における熱伝導率低減
〇石部 貴史1,2、成瀬 延康3、目良 裕3、山下 雄一郎4、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.滋賀医科大、4.産総研)
キーワード：
熱電材料、酸化物、熱伝導率
高電気伝導率を示す透明SnO2は、透明熱電材料として有望である。これまで我々は、ドメインエンジニアリングを提案し、SnO2薄膜において高電気伝導率を維持しつつ低熱伝導率を実現したが、社会応用には未だ不十分である。本研究では、メインの伝導帯には寄与せず、共鳴準位効果を起こしうるO2-アニオンに注目し、これを選択的に変位させて、高熱電出力因子を保ちつつ、O空孔でのフォノン散乱による大幅な熱伝導率低減を狙う。