講演情報
[15a-P01-3]レーザ照射と通電加熱により形成した表面溶融シリコンの静電応力とローレンツ力による引き上げ成長
〇(B)松本 乃武1、西村 高志1 (1.鈴鹿高専)
キーワード：
静電応力、融液成長、レーザープロセシング
材料電磁プロセッシングは融液成長を主に磁場で制御しているが，静電場により制御する手法の報告は少ない．その理由は，静電エネルギは磁気エネルギに対して5桁程度小さいためである．本研究ではレーザ照射と通電加熱により形成した局所Si融液へ電磁界場を印加し，静電応力とローレンツ力により一軸引上成長することで先端がファセット面で囲まれた鋭い突起結晶を形成し，材料プロセスへの静電応力の応用を検討した．