講演情報
[15p-K101-4]集積デバイス熱設計
〇内田 建1 (1.東大工)
キーワード：
GAAトランジスタ、自己加熱、熱配慮デバイス設計
本講演では，Gate-All-Around(GAA)構造をはじめとした微細な立体構造トランジスタで不可欠と考えられる熱に配慮したデバイス設計について議論をする．従来のLSIでは，熱伝導率が非常に良いSiの上にデバイスが作製されていた．そのため，デバイスからの排熱はSi基板を通してヒートシンクでなされており，自己加熱の影響は，立体構造デバイスであるFinFETではある程度の上昇は見込まれるものの，あまり大きな問題とはならなかった．しかし，今後実現が予測されるCFETのようなデバイスの積層構造では，デバイスの下にさらに別のデバイスが存在するため，排熱に関してより注意深く考慮する必要がある．本講演では，自己加熱による温度上昇を評価する方法と，自己加熱がデバイス特性に及ぼす影響ついて，SOIトランジスタとFinFETの場合について我々のデータを紹介する．
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