[15p-K302-1~11] 13.9 化合物太陽電池

13:45 〜 14:00

[15p-K302-2] InGaAs/InPヘテロ接合ダイオードの熱輻射発電特性

〇中村 徹哉¹、渡辺 健太郎² (1.宇宙機構、2.東大先端研)

キーワード：

熱輻射ダイオード、ヘテロ接合

暗状態で発電可能な熱輻射ダイオードの出力特性は，ダイオードの外部発光効率に依存することが理論モデルで示されている．本研究では、熱輻射ダイオードの外部発光効率を意図的に変化させ、輻射発電特性への影響を実験的に調べ，理論モデルの妥当性を評価した．