講演情報
[15p-K307-3]2次元電子ガス積層構造を用いた熱伝導率低減とデバイス出力向上
〇(M2)吉崎 高士1、上松 悠人1、石部 貴史1,2、間野 高明3、大竹 晃浩3、山下 雄一郎4、上沼 睦典4、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.物質・材料研究機構、4.産業技術総合研究所)
キーワード：
熱電変換
熱電出力因子向上に向け、量子閉じ込め効果によるゼーベック係数増大が期待できる二次元電子ガス（2DEG）が研究されてきた。2024年、我々はGaAs三角井戸2DEGを作製し、複数サブバンド効果によるゼーベック係数増大が大幅な増大率をもたらすことを見出した。本研究では2DEGを用いた熱電デバイス実現に向けて、薄膜の低抵抗化と界面フォノン散乱の促進のため2DEG構造を積層形成し、高熱電出力を示す熱電デバイスを作製する。