講演情報
[15p-K401-10]AlGaN/AlN歪超格子を有する分極電界誘起第二高調波発生デバイス
〇谷川 智之1,2、Shahzeb Malik1,2、正直 花奈子3、伊藤 雅晃1,2、百崎 怜1,2、本田 啓人1,2、三宅 秀人4、上向井 正裕1,2、片山 竜二1,2 (1.阪大院工、2.阪大OTRIスピン、3.京大院工、4.三重大院工)
キーワード：
第二高調波発生、AlGaN、歪超格子
AlNは遠紫外光に対する透明性と強い光学非線形性を有し、遠紫外第二高調波発生（SHG）デバイスに用いることができる。我々はこれまでにAlN極性反転構造を用いた横型擬似位相整合デバイスを提案し、波長229 nmの遠紫外SHGを実証してきた[1]。本研究では、極性反転構造が不要な高効率SHGデバイスの実現に向けて、AlGaNとAlNの分極不連続により生じる分極電界を利用したSHGデバイスを新たに提案・作製し、波長230 nmのSHGを実証したので報告する。