[15p-K401-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:30 〜 14:45

[15p-K401-5] [第57回講演奨励賞受賞記念講演] AlGaN系UV-B LDにおける急峻なヘテロ接合界面を適用したデバイス性能

〇齋藤 巧夢¹、三宅 倫太郎¹、山田 凌矢¹、井本 圭紀¹、丸山 竣大¹、佐々木 祐輔¹、狩野 祥吾¹、岩山 章¹、三宅 秀人²、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工、2.三重大院工)

キーワード：

窒化物、紫外レーザ、有機金属気相成長法

我々は、AlGaN系UV-B LDの室温パルス発振に成功し、ピーク光出力150 mWを達成した。しかし、キャリア注入効率（ηi）は約10%にとどまり、高出力化にはηiの向上が重要な課題である。その要因として、電子ブロック層とガイド層界面に形成される意図しないAl組成傾斜層が挙げられる。本研究では、MOVPE法により急峻なヘテロ界面の成長条件を最適化し、UV-B LDの性能向上について報告する。