講演情報

16:00 〜 16:15

[15p-K501-11]GaAs/AlGaAs超格子およびGaN/AlGaN超格子上に形成した金属半導体ストライプ構造からの加熱輻射の観測

〇吉川大樹¹、大島拓巳¹、長井奈緒美²、斎藤巧夢³、平川一彦²、岩谷素顕³、石谷善博¹ (1.千葉大院工、2.東京大院、3.名城大院)

キーワード：

LOフォノン、熱輻射、赤外

これまで，我々はGaAsやGaNなどの半導体の表面に形成した金属-半導体ライン＆スペース(グレーティング)構造から縦光学(LO)フォノンエネルギーに共鳴する赤外光放射を観測してきた．現在我々は，電子のサブバンド間遷移(ISBT)によるLOフォノンの生成に着目し，電子のエネルギーをLOフォノンに変換して発光に利用することを目的として構造検討を行っている．本発表では，超格子上に形成したストライプ構造の加熱による輻射を観測し，超格子のLOフォノンモードがどのように発光に寄与するか調査したので，その詳細について報告する．

セッション詳細へ戻る