講演情報
[15p-K505-6]GaN系PCSELの屈折率補償構造の導入によるビーム高品質化に関する検討
〇増山 知輝1,2、小泉 朋朗1,2、十鳥 雅弘2、江本 渓1,2、北村 篤史2、De Zoysa Menaka2、小川 健志2、井上 卓也2、石崎 賢司2、吉田 昌宏2、野田 進2 (1.スタンレー電気、2.京大院工)
キーワード：
フォトニック結晶レーザー
我々はGaN系半導体を用いた青色PCSELについて開発を進めており，最近では，孔の重心間距離を~λ/4にすることで面内に光を広げつつ，面積拡大化（≧500µmΦ）を目指す検討も進めている．このようなデバイスでは，特に高注入においてキャリアプラズマ効果による共振器内外での屈折率差に起因し，意図しない発振を誘発し得ると考えられる．そこで，端部の影響を抑えるために屈折率補償を行うことでビーム品質向上を図ったので報告する．