講演情報
[15p-K507-4]エルビウム酸化物で修飾したタングステン電子源からの電界放射像とS-Kチャートの変化
〇川久保 貴史1、柴山 真輝1、吉井 雅浩1、図子 結楽1 (1.香川高専)
キーワード:
電子源、エルビウム酸化物、仕事関数
タングステン表面を他の金属酸化物で修飾すると,(100)面の仕事関数が選択的に低下する現象が発生する。特に,ジルコニウム酸化物で修飾したタングステン表面は,高輝度なZrO/W(100)電子源として実用化されているが,さらなる電子源の低仕事関数化のために修飾材料の探索が行われている。我々も低仕事関数化のための修飾材料探索を行ってきたが,タングステン表面上に低仕事関数面を形成するための条件(加熱温度)を調査するのが困難であった。修飾状態は主に電子放射像の変化と放射電流の変化から観察しているが,今回さらにSeppen-Katamuki(S-K)チャートを用いて修飾状態を確認することを試みたので報告する。
エルビウム酸化物は,タングステン電子源の表面修飾に用いた際に低仕事関数となる報告があり,低仕事関数化した際の電子放射特性が大きく変化することを期待して今回の表面修飾実験に用いた。
エルビウム酸化物は,タングステン電子源の表面修飾に用いた際に低仕事関数となる報告があり,低仕事関数化した際の電子放射特性が大きく変化することを期待して今回の表面修飾実験に用いた。