講演情報
[15p-P05-59]PPh3分子の吸脱着によるWSe2のキャリア密度の多段階変調
〇(B)宮部 永遠1、四方 沢弥1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大システム理工、2.埼玉大院理工)
キーワード：
二次元半導体、ドーピング、二セレン化タングステン
次世代半導体材料である二次元半導体をエレクトロニクスに実装させるためには、二次元半導体のキャリアタイプおよびキャリア密度を制御可能なドーピング技術の確立が必要不可欠である。本研究では、PPh3分子の吸脱着によってWSe2のキャリア密度を多段階的に変調可能な手法を紹介する。