セッション詳細
[15p-P05-1~62]17 ナノカーボン・二次元材料(ポスター)
2025年3月15日(土) 13:30 〜 15:30
P05 (森戸記念体育館)
[15p-P05-1]CNT の化学気相成長に適したプラスチック熱分解ガスの生成レート分析
〇村上 梓1、高梨 皓太郎1、栗原 佑典1、生野 孝1 (1.東理大先進工)
[15p-P05-2]カイト成長メカニズムを利用したナノピラー配列上のカーボンナノチューブランダムネットワーク形成の統計解析と流体シミュレーション
〇劉 元嘉1、井ノ上 泰輝1、小林 慶裕1 (1.阪大工)
[15p-P05-3]Au(110)基板上に吸着したC60の単分子電子状態観察
〇濱田 航1、和田 光翔1、佐伯 直哉1、片野 諭1 (1.東洋大理工)
[15p-P05-4]単層カーボンナノチューブのナノリング起源カイラリティ制御成長
〇畠山 力三1、上野 裕2,3、權 垠相3、美齊津 文典3 (1.東北大未来科学技術、2.東北大学際科学、3.東北大理)
[15p-P05-5]カーボンナノホーン薄膜の導電性
〇小野寺 聡1、山口 博之1、小谷 光司1、長南 安紀1、小宮山 崇夫1、桃井 優一2 (1.秋田県立大、2.桃陽)
[15p-P05-6]フラーレン/単層カーボンナノチューブ複合薄膜の作製と電極触媒活性評価
〇(BC)藤倉 光佑1、古作 寧々1、緒方 啓典1,2 (1.法政大生命科学、2.法政大マイクロナノ研)
[15p-P05-7]物理リザバーコンピューティングに向けたMWNT/PDMS複合フィルムにおけるMWNT添加量がシナプス可塑性に及ぼす影響
〇(DC)小松 裕明1、原 航平1、生野 孝1 (1.東理大先進工)
[15p-P05-8]カーボンナノチューブ複合紙を用いた“蒸気発電紙”における使用分散剤量の差異による応答性評価
〇三巻 飛由1、新井 皓也2、大矢 剛嗣1 (1.横国大院理工、2.三菱マテリアル)
[15p-P05-9]新規ゲル電解質によるCNT複合紙を用いた色素増感太陽電池紙の発電効率の向上検討
〇KOU YI1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大院理工、2.横国大IMS)
[15p-P05-10]ボロメータ型CNT赤外線検出器の保護膜の検討
〇福田 紀香1、田中 朋1,2、殿内 規之1,2、金折 恵1、弓削 亮太1,2 (1.産総研、2.日本電気)
[15p-P05-11]光誘起ナノスケール熱対流を利用した単一カーボンナノチューブの
赤外分光とカイラリティ分離
〇渡邉 魁1、丸山 茂夫1、大塚 慶吾1 (1.東大工)
[15p-P05-12]水素/Arアニール処理によるn型化CNT複合紙を用いた色素増感太陽電池紙の変換効率向上検討
〇清水 千寛1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大院理工、2.横国大 IMS)
[15p-P05-13]固体炭素から合成したカーボンナノウォールを用いた水溶液中Csイオンの吸着
〇深田 幸正1、青柳 佑海人2、横山 美沙紀2、堀部 陽一3、狩野 旬2、金田 美優2、藤井 達生2、吉越 章隆1、小畠 雅明1、福田 竜生1、吉井 賢資1、池田 直2 (1.原子力機構、2.岡山大、3.九工大)
[15p-P05-14]ESM法を用いたSiC(0001)面上多層グラフェンの仕事関数の計算
〇(M1C)久保 麿大1、Seo Insung1、影島 博之1 (1.島根大院自然科学)
[15p-P05-15]パターン加工されたCu-Ni 合金薄膜上におけるグラフェン成膜・評価
〇富成 征弘1、鈴木 仁2、田中 秀吉1 (1.情通機構、2.広島大先進理工)
[15p-P05-16]RFマグネトロンスパッタリングを用いた多層グラフェンの絶縁体上合成
〇村田 博雅1、村上 勝久1、長尾 昌善1 (1.産総研)
[15p-P05-17]グラフェンを直接成長させたサファイア基板上でのGaNリモートエピタキシーのリアルタイムX線回折
〇(M2)小田 昂到1、福井 優太1、佐々木 拓生2、横澤 翔太1、日比野 浩樹1 (1.関学大理工、2.量研)
[15p-P05-18]AI による2・3 次元グラフェン島の自動検出および分析システムの開発
〇高塚 亮輔1、橋本 真幸2、根岸 良太2 (1.東洋大理工、2.東洋大BNC)
[15p-P05-19]フッ化グラフェンの電荷捕獲機構の考察
-プラズマを用いたCVDグラフェンのフッ化とその構造-
〇大井川 惇允1、桐原 芳治1、眞下 航平1、野平 博司1、石川 亮佑1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大学)
[15p-P05-20]第一原理計算による二層グラフェンおよび二層六方晶窒化ホウ素におけるイオン伝導性のツイスト角度依存性の研究
〇福沢 源1、柴田 基洋2、溝口 照康2 (1.東大院工、2.東大生研)
[15p-P05-21]人工ヘテロ構造デバイスの高分解能マイクロARPES
〇山本 晃輝1、柳沢 幸紀1、菅原 克明1,2,3、小倉 宏斗2,4、加藤 俊顕2,4、渡邉 賢司5,6、谷口 尚5,6、小澤 健一7、高橋 隆1、佐藤 宇史1,2,8,9,10 (1.東北大院理、2.東北大 WPI-AIMR、3.JST-PRESTO、4.東北大院工、5.NIMS、6.NIMS-MANA、7.高エ研物構研、8.東北大CSIS、9.東北大SRIS、10.東北大MathCSS)
[15p-P05-22]高温下での炭素供給による酸化グラフェン薄膜の高結晶化と電気特性
〇(M2)山下 朋晃1、神田 哲志1、鵜飼 智文2、黒須 俊治2、花尻 達郎1,2、前川 透2、仁科 勇太3、山口 智弘4、石橋 幸治4、根岸 良太1,2 (1.東洋大院理工、2.BN研究センター、3.岡山大、4.理研)
[15p-P05-23]二層グラフェンのツイスト角が及ぼす化学反応性への影響
〇松田 真希1、Pablo Solís-Fernández1、松永 貴子1、岡田 晋2、吾郷 浩樹1 (1.九大院総理工、2.筑波大院)
[15p-P05-24]周期歪みと周期ポテンシャル変調をもつグラフェンの形成
〇(M2)近藤 さらな1、鈴木 裕虎1、吉岡 英生2、林 正彦3、神田 晶申1 (1.筑波大数理物質、2.奈良女子大理、3.秋田大教育文化)
[15p-P05-25]グラフェンインクを用いた静電容量式フレキシブル圧力センサの作製
〇西尾 俊輝1、木坂 響希1、堀田 唯音1、黒松 将1、渡辺 剛志1、黄 晋二1 (1.青学大理工)
[15p-P05-26]操作性向上を指向した多孔質膜を支持材とするグラフェン転写法の開発
〇渡辺 剛志1、三浦 慎平1、黄 晋二1 (1.青学大理工)
[15p-P05-27]グラフェンを用いたフィルム型エレクトロクロミックデバイス
〇坂井 美紀1、福澤 実希1、渡辺 剛志1、黄 晋二1 (1.青学大理工)
[15p-P05-28]回転積層多層グラフェン/n-Siショットキー接合デバイスにおける光起電力特性
〇任 皓駿1、寺岡 真裕1 (1.弘大理工)
[15p-P05-29]極薄ゲート金属層利用に向けたグラフェン上へのALDによるアルミナ膜形成
〇野口 裕士1、松田 健生1、小島 拓也1、柯 梦南1、熊谷 翔平2、岡本 敏宏2、青木 伸之1 (1.千葉大工、2.東科大物)
[15p-P05-30]還元型酸化グラフェン薄膜の表面増強ラマン散乱効果
〇(M1)小野 凌雅1、神田 哲志1、島崎 直希1、徳永 泰河1、仁科 勇太3、根岸 良太1,2 (1.東洋大院理工、2.BNC、3.岡山大)
[15p-P05-31]Si基板上へのグラフェンのドライ転写
〇(B)大住 彩花1、太田 航1、成塚 重弥1、丸山 隆浩1 (1.名城大理工)
[15p-P05-32]Cu(111) 上のCVD初期成長中に核形成された内因性hBN島の理論研究
〇(M2)今村 僚1、Seo Insung1、影島 博之1 (1.島根大院自然科学)
[15p-P05-33]4配位固体モリブデン前駆体を用いた二硫化モリブデン薄膜の原子層堆積成長
〇中山 皓太1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院理工)
[15p-P05-34]Au/SiO2界面へのMoS2薄膜直接成長
〇猿田 将大1、上野 啓司1、リム ホンエン1 (1.埼玉大院理工)
[15p-P05-35]銅電極ギャップ間への二硫化タングステン薄膜選択成長
〇飛田 龍星1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院)
[15p-P05-36]線状 MoO3パターニング基板を用いた MoS2の CVD 合成
〇田中 瑞貴1、安藤 淳2、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工、2.産総研)
[15p-P05-37]サファイア基板上に蒸着したFeNi膜を用いたh-BNのCVD成長
〇金井 拓海1、神垣 玲央1、橋本 恵里1、奥田 崚太2、渡辺 剛志1、黄 晋二1 (1.青学大理工、2.AGC 株式会社)
[15p-P05-38]サファイア基板のH₂アニールがCVD法によるMoS₂の配向成長に与える影響
〇(B)大原 佑希1、小田 昂到1、日比野 浩樹1 (1.関学大理工)
[15p-P05-39]2層線状パターニング供給基板を用いたMoS2のCVD合成
〇河南 昌吾1、田中 瑞貴1、安藤 淳2、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工、2.産総研)
[15p-P05-40]強誘電ドメイン構造を有するバルク SnS の CVD 成長
〇松井 望1、森 敦彦2、小山 和輝2、加藤 悠暉2、山本 壮太2、石原 淳2、好田 誠1,2,3,4,5 (1.東北大工材料、2.東北大院工、3.東北大 CSIS、4.東北大 DEFS、5.QUARC 量研)
[15p-P05-41]円状パターニングMoO3供給基板を用いたMoS2のCVD合成
〇中村 空海1、田中 瑞貴1、安藤 淳2、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工、2.産総研)
[15p-P05-42]化学気相成長法によるMoS2ナノリボンの直接成長
〇田村 優奈1、上野 啓司1、リム ホンエン1 (1.埼玉大院理工)
[15p-P05-43]金属塩化物を前駆体とする単層MoS2のCVD合成
〇(D)山本 快知1、深町 悟1、吾郷 浩樹1,2 (1.九大院総理工、2.九大半導体セ)
[15p-P05-44]Mo6Te6ナノワイヤーの構造解析と光学特性評価
〇斎藤 慎太朗1、山田 樹1、劉 崢2、中西 勇介3、宮田 耕充4、上野 啓司1、リム ホンエン1 (1.埼玉大院理工、2.産総研、3.東大院新領域、4.都立大理)
[15p-P05-45]マイクロARPESによる原子層WTe2薄膜の電子状態
〇菅原 克明1,2,3、安藤 隆一1、川上 竜平1、柳沢 幸紀1、八重樫 鍵1、高橋 隆1、佐藤 宇史1,2,4,5,6 (1.東北大院理、2.東北大WPI-AIMR、3.JST-PRESTO、4.東北大CSIS、5.東北大SRIS、6.東北大MathCSS)
[15p-P05-46]Degenerately Doped MoS2 by an Electrosynthesized Alkyl-chain Containing Donor Molecule
〇(D)Huiqin Liu1, Guanting Liu1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. of Tokyo)
[15p-P05-47]折り畳み二層MoS2の電気伝導特性評価
〇四谷 祥太郎1、遠藤 尚彦2、宮田 耕充2、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合、2.都立大理)
[15p-P05-48]不純物添加したMoS2バルク単結晶の成長と導電性評価
〇森戸 智1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院理工)
[15p-P05-49]Strain effect detected by Raman peak shifts in bulk layered semiconductor SnS
〇小山 和輝1、森 敦彦1、石原 淳1、山本 壮太1、裵 星旻1、熊谷 悠1、好田 誠1,2,3,4 (1.東北大院工、2.東北大CSIS、3.東北大DEFS、4.QST QUARC)
[15p-P05-50]励起子絶縁体Ta2NiSe5の偏光ラマン解析
〇鈴木 真粧子1、Sarah Harmer2、Sara Miller2、小林 義明3、太田 幸則4 (1.群大院理工、2.Flinders Univ.、3.名大院理、4.千葉大院理)
[15p-P05-51]衝撃高圧力で誘起される酸化物材料の構造相転移過程の動的観察
〇岸村 浩明1、相見 晃久1 (1.防大材料)
[15p-P05-52]黒リン/プラズモニックナノ格子の異方性に基づく吸収波長シフト
〇岩川 学1、福島 昌一郎1、嶋谷 政彰1、小川 新平1 (1.三菱電機(株))
[15p-P05-53]溶液中のフォトクロミック分子の光異性化によるMoS2-FETの光スイッチング動作
〇(M1)黒澤 一姫1、高岡 毅2、米田 忠弘2 (1.東北大院理、2.東北大多元研)
[15p-P05-54]MoS2-FETフォトカレントの銅ナフタロシアニン分子吸着量依存性2
〇(M1)小菅 楽1、高岡 毅2、Liu Haotin1、安藤 淳3、米田 忠弘2 (1.東北大院理、2.東北大多元研、3.産総研)
[15p-P05-55]ナノシート薄膜トンネル接合によるホットキャリア形成とメタン活性化
〇(M1)小西 理久1、野内 亮1 (1.大阪公立大工)
[15p-P05-56]WOx/WSe2ヘテロ構造における抵抗変化メモリ特性の評価
〇(M1)福島 脩平1、Che-Yi Lin2、稲田 貢1、上野 啓司3、Yen-Fu Lin2、山本 真人1 (1.関西大院理工、2.国立中興大学、3.埼玉大院理工)
[15p-P05-57]局所オゾン酸化による層数の異なる黒リン面内ホモ接合の形成
〇(B)長田 庄平1、小田 太一1、稲田 貢1、佐藤 伸吾1、山本 真人1 (1.関西大システム理工)
[15p-P05-58]オゾン処理によって薄膜化した黒リンの電荷トラップ特性
〇(B)山本 健嗣1、小田 太一1、稲田 貢1、山本 真人1 (1.関西大システム理工)
[15p-P05-59]PPh3分子の吸脱着によるWSe2のキャリア密度の多段階変調
〇(B)宮部 永遠1、四方 沢弥1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大システム理工、2.埼玉大院理工)
[15p-P05-60]Tailoring the electronic properties of 2D materials via diversified molecular adlayer
〇Mao Xu1, Chen Li1, Daisuke Kiriya1 (1.The Univ. of Tokyo)
[15p-P05-61]単層MoTe2面内PN接合のキャリア密度変調による光生成電流変化
〇星 裕介1、滋野 博史1、吉村 拓1、渡邊 賢司2、谷口 尚2 (1.東京都市大、2.NIMS)
[15p-P05-62]WSe2上へのF6-TCNNQ単層膜を介した原子層堆積法の確立とデュアルゲート型FET動作の実現
〇松田 健生1、小島 拓也1、野口 裕士1、柯 梦南1、熊谷 翔平2、岡本 敏宏2、青木 伸之1 (1.千葉大院、2.科学大院)