[15p-P07-1~60] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[15p-P07-19] [Cu/Ni]/PMN-PT(011)における垂直磁気異方性の電界効果

〇清水 要介¹、小森 祥央¹、井村 敬一郎¹、谷山 智康¹ (1.名大理)

キーワード：

マルチフェロイクス、垂直磁気異方性

垂直磁気異方性を有する強磁性体と強誘電体からなる界面マルチフェロイクスは、スピントロニクスデバイスの高密度化、低消費電力化に適しており、近年注目を集めている。今回我々は、PMN-PT(011)基板上への[Cu/Ni]多層膜のエピタキシャル成長と垂直磁気異方性の電界効果を調査し、電界印加によって垂直磁気異方性が減少することを見出した。この結果はPMN-PT基板の逆圧電歪みにより、Niの界面引張歪みが緩和したことによるものであると考えられる。