[15p-P12-1~40] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[15p-P12-3] 分子線エピタキシー法によるGa₂O₃層の低温成長

〇楢崎 蓮¹、齊藤 勝彦¹、郭 其新¹、田中 徹¹ (1.佐賀大理工)

キーワード：

酸化ガリウム