セッション詳細

[15p-P12-1~40]21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

2025年3月15日(土) 16:00 〜 18:00
P12 (森戸記念体育館)

[15p-P12-1]粉末ターゲットを用いたスパッタリングによるGa2O3/Cu2O積層膜の作製

〇(M1)鳥居 剛至1、田中 翔1、山田 容士1、舩木 修平1 (1.島根大自然)

[15p-P12-2]電子線照射したβ-Ga2O3エピ基板の欠陥準位評価

〇中野 由崇1、伊藤 成志2 (1.中部大工、2.住重アテックス)

[15p-P12-3]分子線エピタキシー法によるGa2O3層の低温成長

〇楢崎 蓮1、齊藤 勝彦1、郭 其新1、田中 徹1 (1.佐賀大理工)

[15p-P12-4]β-Ga2O3 (001) エピタキシャル基板における Arrowhead 型エッチピットに対応する結晶欠陥解析

〇寺田 文軌1、蓮池 紀幸1、一色 俊之1、小林 健二2、藤谷 武史2、石川 由加里3、姚 永昭3,4 (1.京都工繊大、2.(株)日立ハイテク、3.(一財)ファインセラミックスセンター、4.三重大)

[15p-P12-6]界面エネルギー計算にもとづくa-Al2O3(0001)基板上Ga2O3の構造安定性の
理論解析

〇石田 宏樹1、秋山 亨1、河村 貴宏1 (1.三重大院工)

[15p-P12-7]ミストCVD法によるN極性GaN上κ-Ga2O3の成長と結晶構造解析

〇(B)西川 未咲1、市川 峻平1、伊藤 伸羽1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大 ナノ材研)

[15p-P12-8]ミスト CVD 法による β-Ga2O3基板(010), (001)および(100)面上へのホモ エピタキシャル成長

〇赤岩 和明1、富田 健稔2、姚 永昭3、柿本 浩一2、吉川 彰2 (1.鳥取大学、2.東北大学、3.三重大学)

[15p-P12-9]前駆体水溶液を用いた溶液塗布熱分解法による(GaIn)2O3薄膜の作製と紫外線センサー応用

〇(M1C)堀部 彰人1、谷口 佳史1、宮嵜 愛実1、山崎 伊織1、小山 政俊1、廣芝 伸哉1、小池 一歩1 (1.大工大ナノ材研センタ)

[15p-P12-10]ラマン分光を用いた電流スイッチングに伴う β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードの温度変化

〇古本 航1、長谷川 将2、佐々木 公平2、一色 俊之1、蓮池 紀幸1 (1.京工繊大、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)

[15p-P12-11]NiO thin films growth mechanism using a novel “Electrostatic Spray Deposition (ESD)” method, and property measurement

〇(D)Fysol Ibna1,2, Sugiyama Mutsumi1,3 (1.Department of Electrical Engineering, Tokyo University of Science, 2.CITY University, Faculty of Science & Engineering, Dhaka-1216, Bangladesh, 3.Research Institute, RIST, Tokyo Univ. of Science,)

[15p-P12-12]Experimental Evidence of In-atom Doping in ZnO Nanoparticles by Thermal Diffusion Process

〇(D)Abdul Md Halim1, Toshiyuki Yoshida1, Yasuhisa Fujita1 (1.Shimane University)

[15p-P12-13]The Enhancements of Nitrogen-Doing ZnO for Effective p-Type Semiconductor Performance

〇(M1)Abrarul Haque1, Haruki Ohmori1, Shuhei Funaki1, Yasuji Yamada1 (1.Shimane University)

[15p-P12-14]ZnとNを共添加したZnO膜の電気特性評価

〇大森 陽生1、ハク アブラウル1、舩木 修平1、山田 容士1 (1.島根大学)

[15p-P12-15]ミストCVD法による銀薄膜の成膜と膜特性

〇水本 圭1、岡田 達樹1、大橋 亮介1、Htet Su1、Abhay Mondal1、川原村 敏幸1,2 (1.高知工科大学、2.総研)

[15p-P12-16]β相MoO3エピタキシャル薄膜への電気化学的なプロトン注入と構造および電気特性評価

〇(M1C)鶴山 大翔1、宮本 武1、上林 優斗1、広藤 裕一1、廣芝 伸哉1、小池 一歩1 (1.大工大ナノ材研センタ)

[15p-P12-17]ZnGa2O4薄膜の深紫外線照射による光電流の減衰特性

〇前田 竜之介1、加瀬 伶也1、小熊 佑弥1、山本 和貫2、石井 聡1 (1.東京電機大、2.千葉大院工)

[15p-P12-18]UVオゾン処理がLi添加NiO薄膜を用いたpn接合へ与える影響

〇松林 芳樹1、服部 汰星1、小出 祐菜1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)

[15p-P12-19]SnO2ターゲットを用いて還元スパッタ成膜したp型SnOの表面観察

〇小林 翔1、木菱 完太1、辛 佳和1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[15p-P12-20]p型TaドープSnO薄膜の作製および薄膜トランジスタ応用

〇辛 佳和1、山寺 真理1、高橋 司1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[15p-P12-21]低温溶液プロセスによるp型SnO薄膜の作製と評価

〇(M1)曹 博聞1、小林 亮太1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[15p-P12-22]負極フリーLIB応用のためのミストCVD法によるCu(Al)上アモルファスTiOx界面の評価

〇豊嶋 奏1、佐藤 知正1,2、白井 肇2,3、松木 伸行1,2、曽根 宏隆3、栗原 英紀4、山本 孔明5、大野 俊典5 (1.神奈川大工、2.神奈川大工研、3.埼玉大理工研、4.埼玉県産業技術総合センター、5.(株)天谷製作所)

[15p-P12-23]Analysis of Electronic States in Mist CVD AlxTi1-xOy Thin Films for 2D-Layered Optoelectronics: Impact of Compositions and Post-treatments

〇(PC)Abdul A Kuddus1, Abdurashid Mavlonov1, Keiji Ueno2, Kazi Sajedur Rahman3, Takashi Minemoto1, Hajime Shirai2, Shinichiro Mouri1 (1.Ritsumeikan Univ., 2.Saitama Univ., 3.Univ. Kebangsaan)

[15p-P12-24]ルチル型Sn1xGexO2単結晶自立薄膜の合成におけるSn/Ge比の影響

〇(M2)小幡 知仁1、長島 陽2、岡 大地1、廣瀬 靖1 (1.都立大院理、2.東大院理)

[15p-P12-25]透明フレキシブルTFT開発に向けたZnO成長と特性評価

〇鷲巣 智裕1、北堀 匡真1、村中 司1、鍋谷 暢一1、松本 俊1 (1.山梨大工)

[15p-P12-26]結晶構造に着目したIn2O3系透明導電膜の柔軟性劣化

〇木菱 完太1、山寺 真理1、小林 翔1、矢崎 結也1、相川 慎也1 (1.工学院大)

[15p-P12-27]ZrドープZnO薄膜のアニーリングによる透明導電性の改善

〇(M1)松本 幸祐1、鷹野 一朗1 (1.工学院大院)

[15p-P12-28]ミストCVD法で成膜した非晶質GaOx紫外線検出器の紫外線応答特性の成膜温度依存性

〇(M1)山崎 伊織1、宮嵜 愛実1、田中 悠馬1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大 ナノ材研)

[15p-P12-29]Mist CVD法で作製したZnMgO薄膜の成膜温度変化による膜内組成への影響

〇大橋 亮介1、岡田 達樹1、ヘテット ス ワイ1、川原村 敏幸1,2 (1.高知工大、2.総研)

[15p-P12-30]Structural and optical characterization of the Ga-doped ZnO transparent conductive films on flexible PET substrates grown by PAMBD

〇(M2)Aolin Li1,2, Zijing Wen1,2, Yoichi Nabetani1, Tsutomu Muranaka1 (1.University of Yamanashi, 2.Hangzhou Dianzi University)

[15p-P12-31]ZnO nanoparticles-based green-LEDs using FAPbBr3 perovskite quantum dots

〇(M2)Shaaista Hasan1, Toshiyuki Yoshida1, Yasuhisa Fujita1,2 (1.Shimane Univ., 2.S-Nanotech Co-Creation Co., Ltd.)

[15p-P12-32]ZnO薄膜のリチウムイオン電池用セパレータの保護膜への応用

〇吉野 賢二1,2、宇都 大樹1、永岡 章1,2、安井 伸太郎3 (1.宮大工、2.宮大GX研究センター、3.科学大)

[15p-P12-33]スパッタ条件調整による極性In2O3(100)面の優先成長

〇(B)海老澤 雄一朗1、小林 亮太1、車 振赫2、相川 慎也1 (1.工学院大工、2.全南大)

[15p-P12-34]PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合素子における電圧掃引回数による素子電流制御の可能性

〇寺迫 智昭1、矢木 正和2、パラニ ラジャセカラン3、山本 哲也3 (1.愛媛大院理工、2.香川高専、3.高知工科大総研)

[15p-P12-35]室温プロセスでバイアスストレス安定性の高いアモルファスIn2O3系TFT

〇山寺 真理1、木菱 完太1、小林 亮太1、石井 和歩1、相川 慎也1 (1.工学院大)

[15p-P12-36]ニッケルと銅の複合水酸化物の伝導型

〇安部 功二1、Zhang Ziheng1 (1.名工大)

[15p-P12-37]ゾルゲル法による Ga-Sn-O を用いた MSM 型紫外線センサの作製と評価

〇太田 行優1、松田 時宜1、陳 亞歆2、歐 宏禹2、蔡 健益2 (1.近畿大学、2.逢甲大学)

[15p-P12-39]Roll-to-roll PAMBD法GZO薄膜成長における酸素セル流量条件の検討

〇北堀 匡真1、鷲巣 智裕1、水野 立揮1、村中 司1、鍋谷 暢一1、松本 俊1 (1.山梨大工)

[15p-P12-40]誘導結合放電によるCa-Mg-Zn-O2混合プラズマの生成

〇佐藤 直幸1、ティホミール キュゾビック1、石田 大輝1、保坂 恭平1、山下 薫1 (1.茨城大院理工)