講演情報
[15p-Y1311-3]廃炉・宇宙開発のためのSiC CMOS集積回路・イメージセンサの研究開発
〇黒木 伸一郎1 (1.広島大RISE)
キーワード：
半導体、シリコンカーバイド、CMOS集積回路
シリコンカーバイド（SiC）半導体による極限環境エレクトロニクス（放射線耐性 > 2 MGy, 最大動作温度 500℃）の研究開発を進めている。福島第一原子力発電所での廃炉作業や、宇宙開発などで必要とされる高放射線環境下などでも動作可能なエレクトロニクスである。SiC CMOS集積回路とイメージセンサの研究開発を報告するとともに、社会実装に向けた取り組みも紹介する。