[16a-K203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[16a-K203-3] キャップ層の結晶性に依存したVO₂薄膜へのプロトン挿入・脱離

〇藤 颯太¹、磯田 洋介¹、謝 玲玲¹、間嶋 拓也²、麻生 亮太郎³、島川 祐一¹、菅 大介¹ (1.京大化研、2.京大院工、3.九大院工)

キーワード：

二酸化バナジウム、ヘテロ構造、プロトン脱挿入

本講演では、TiO₂/VO₂/TiO₂ヘテロ構造に対する電気化学的なプロトン脱挿入について報告する。VO₂層へと蓄積されたプロトンの脱離過程をキャップ層であるTiO₂層の結晶性を変調することで制御できることを発見した。当日の発表では、プロトン脱挿入時におけるヘテロ構造の結晶構造変化および電気抵抗変化も含めて、TiO₂キャップ層の結晶性に依存したVO₂薄膜におけるプロトン挿入および脱離過程の詳細を報告する。