講演情報
[16a-K209-2]半磁束量子回路の論理ゲートの静的消費電力の評価
〇出口 創万1、稲垣 賢信1、佐藤 太一1、堀 裕貴1、西崎 海1、李 峰1、田中 雅光1、藤巻 朗1 (1.名大院工)
キーワード：
π接合、半磁束量子回路、超伝導
π接合を含むSQUID内の自発電流を利用した半磁束量子（HFQ）回路は、単一磁束量子（SFQ）回路に比べ低消費電力で動作する。我々はHFQ論理ゲート（AND, OR, NOT, XOR, NOR）の詳細設計を行い、JoSIMを用いて動作解析を実施した。結果、XORゲートで静的消費電力をSFQ回路の1/20に削減可能であることを示した。一方、他のゲートでは動作マージンとのトレードオフが発生していることを示唆している。複雑な回路でもHFQ回路特有の消費電力削減効果が確認された。