講演情報
[16a-K401-3]InGaN赤色LEDエピ膜における光学利得測定
〇新保 樹1、山口 敦史1、飯田 大輔2、大川 和宏2 (1.金沢工大、2.KAUST)
キーワード：
InGaN量子井戸、励起長可変法、光学利得
InGaN量子井戸(QW)を活性層に用いた赤色半導体レーザはいまだ実現していない．しかし近年，歪み補償等の工夫をしたInGaN赤色LEDで比較的高い外部量子効率が得られており，InGaN-QWでの赤色光誘導放出観測も現実味を帯びてきた．本研究では，このInGaN赤色LEDエピ膜に対し，励起長可変法による光学利得測定を行い，赤色発光QWからの誘導放出観測を試みた．