[16a-K401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:45 〜 11:00

[16a-K401-7] オフ角の異なる SiC 基板上 AlN の高温成長

〇高柳 祐介¹、藤井 滉樹¹、松原 優翔¹、高島 祐介^1,2、直井 美貴^1,2、永松 謙太郎^1,2 (1.徳島大理工、2.徳島大ポスト LED フォトニクス研究所)

キーワード：

半導体、Ⅲ-Ⅴ族窒化物、MOVPE