講演情報
[16a-K504-6]アンダーサンプリングを用いた時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡による掃引時間可変局所CV特性測定法の開発
〇(M1)鈴木 智博1,2、山末 耕平2 (1.東北大院工、2.東北大通研)
キーワード：
走査型非線形誘電率顕微鏡、走査型プローブ顕微鏡、半導体
MISFETの特性は，MIS構造におけるゲート絶縁膜-半導体間の界面特性に依存するため，その評価は重要である．今回は時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた局所CV特性測定において，従来10µs～100µsに固定されていた電圧の掃引時間を桁違いに拡張する手法を開発した．掃引時間を長くした場合に正確な局所CV特性を得るために信号集録にアンダーサンプリング(US)を応用し，USを用いて掃引時間を10msオーダーまで拡張可能であることを示した．