[16p-K305-1~16] 3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[16p-K305-2] InP薄膜導波路を用いた低光損失・低消費電力MOS型光位相シフタ

〇作本 宙彌¹、ピヤパッタラクン ティパット¹、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工)

キーワード：

シリコンフォトニクス、III-V族半導体、位相シフタ

InP薄膜導波路上の低光損失・低消費電力なMOS型光位相シフタを提案し、リング共振器で動作実証を行った。700 nmの厚いクラッド層を用いることで光損失を抑えつつ、導波路表面に電子を蓄積させることでInPの大きなプラズマ分散効果を利用し位相シフトを得た。変調効率1.9 V・cm、光損失が0.48dB/π、印加電ある5 V時の消費電力が1pW未満と低光損失・低消費電力な光位相シフタ動作を実証した。