講演情報
[16p-K305-4]Ge2Sb2Te3S2光強度変調器を用いた不揮発性シリコンマイクロリング共振器スイッチ
〇小林 研二1、宮武 悠人1、唐 睿1、牧野 孝太郎2、富永 淳二2、宮田 典幸2、岡野 誠2、トープラサートポン カシディット1、高木 信一1、竹中 充1 (1.東大院工、2.産総研)
キーワード：
シリコンフォトニクス、光スイッチ、相変化材料
人工知能（AI）の発展に伴い、シリコンフォトニクスを用いたプログラマブル光集積回路（PIC）が注目されている。本研究では、マイクロリング共振器（MRR）にワイドギャップ相変化材料Ge2Sb2Te3S3（GSTS）を光強度変調器として用いることで、低損失かつ広帯域の不揮発性光スイッチを実現した。