[16p-K305-1~16] 3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[16p-K305-5] III-V/Siハイブリッド導波路向けSb₂S₃不揮発光位相シフタの検証

〇脇田 耀介¹、宮武 悠人¹、大野 修平¹、赤澤 智熙¹、牧野 孝太郎²、畑山 祥吾²、モンフレ ステファン³、ブフ フレデリック³、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工、2.産総研SFRC、3.STMicroelectronics)

キーワード：

シリコンフォトニクス、相変化材料、III-V族半導体

リング共振器の初期作製誤差を補正するために相変化材料である硫化アンチモンをIII-V族半導体薄膜上に堆積したリング共振器を作製した。硫化アンチモンをアモルファスから結晶に変化させることで不揮発的な光位相シフトが得られることを実証した。