[16p-K506-1~19] 3.6 レーザープロセシング

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[16p-K506-7] フェムト秒レーザーパルスからアモルファス一酸化シリコンへのエネルギー移行の第一原理計算

〇(M2)具志堅 英雄¹、乙部 智仁²、加藤 洋生¹、Hashmi Arqum¹、谷 水城²、山田 俊介²、石川 顕一¹ (1.東大院工、2.QST関西研)

キーワード：

アブレーション、時間依存密度汎関数理論、TDDFT、アモルファス一酸化シリコン

フェムト秒パルスをアモルファス一酸化シリコン(アモルファスSiクラスターとアモルファスSiO2からなる複合材料)に照射した際のエネルギー吸収のピーク強度依存性を明らかにすることを目的とし、オープンソース計算プログラムSALMONを用いて時間依存密度汎関数理論に基づく計算を行った。低強度領域ではアモルファスSiクラスター、高強度領域では系全体での励起によってエネルギー吸収が起こることがわかった。