講演情報
[16p-P04-10]広さの異なるテラス上におけるペンタセン蒸着膜の核形成密度
〇(B)高井 康平1、松原 亮介1、久保野 敦史1 (1.静岡大工)
キーワード：
拡散距離、ペンタセン
真空蒸着において、基板上での分子の表面拡散は核形成において重要な役割を果たす。一般に核形成が起こるためには拡散距離と同程度以上の広さを有する平面が必要であり、十分な拡散距離を確保できない狭いステップやテラス上では核形成が起こらない。本研究では、SiO2表面に異なる広さのテラスを形成し、各テラス上での核形成密度から基板温度40℃におけるペンタセンの拡散距離は約1.6 μmに相当することが示唆された。