講演情報
[16p-P10-9]ダブルデッカー型イットリウム(III)―フタロシアニナト錯体の磁性制御における基板選択の重要性に関する理論計算
〇廣田 陸哉1、多田 幸平1、加藤 恵一2、岸 亮平1、北河 康隆1 (1.大阪大基礎工、2.城西大理)
キーワード：
フタロシアニナト錯体、表面吸着、密度汎関数理論
分子メモリへの応用が期待されるダブルデッカー型ランタノイド（Ⅲ）-フタロシアニナト錯体（LnPc2）の単分子磁石性能向上を目的に、配位子（Pc）が電子スピンを有する分子の合成が進められている。基板吸着が磁石性能に影響を与えると想定されるが、その詳細は未解明である。本研究ではLnPc2錯体の磁性制御を目指し、近年合成されたYPc2錯体をモデルに用い、基板吸着が配位子に与える影響を密度汎関数理論に基づき解析した。