セッション詳細
[16p-P10-1~10]6.5 表面物理・真空
2025年3月16日(日) 16:00 〜 18:00
P10 (森戸記念体育館)
[16p-P10-1]Ir(111) 上のCVDグラフェン成長とBi インターカレーション
〇柴原 陽大1、アフマド ヤヒヤ光紀1、市川 稜1、山田 豊和1 (1.千葉大院工)
[16p-P10-2]金属酸化物半導体の微量酸素欠損の準大気圧硬X線光電子分光によるその場生成と評価
中村 雅基1、住田 弘祐2、〇鈴木 哲1 (1.兵県大高度研、2.マツダ（株）)
[16p-P10-3]MgO単結晶の光電子放出特性およびその時間変化：大気中光電子収量分光法を用いた実験的観察
〇山下 大輔1、石﨑 温史1 (1.理研計器)
[16p-P10-4]SiC表面酸化反応の相図
片山 遼耶1、伊東 翔太1、〇遠田 義晴1 (1.弘前大院理工)
[16p-P10-5]層状半導体上の有機分子膜成長様式の解析
藤田 凌太1、〇(M1)西中村 聡真1、塚本 威吹1、岡田 倫志郎1、大野 真也1 (1.横国大院理工)
[16p-P10-6]Si(111)基板上に作製したIn超薄膜の量子井戸状態
〇八田 振一郎1、山下 真広1、奥山 弘1 (1.京大院理)
[16p-P10-7]Si量子ドット多重集積構造における二次元電子伝導
窪田 遥斗1、〇白 鍾銀2、田岡 紀之3、牧原 克典2 (1.名大工、2.名大院工、3.愛知工大)
[16p-P10-8]F-K端NEXAFS測定によるフッ素含自己組織化膜の評価
〇春山 雄一1 (1.兵県大高度研)
[16p-P10-9]ダブルデッカー型イットリウム(III)―フタロシアニナト錯体の磁性制御における基板選択の重要性に関する理論計算
〇廣田 陸哉1、多田 幸平1、加藤 恵一2、岸 亮平1、北河 康隆1 (1.大阪大基礎工、2.城西大理)
[16p-P10-10]NEGコーティングを利用した試料輸送用超高真空トランスファーケースの開発
〇諸橋 裕子1、神谷 潤一郎1、割貝 敬一2、武石 健一1,2、小畠 雅明1、吉越 章隆1、津田 泰孝1、福田 竜生1、山田 逸平1、千葉 大輔1 (1.原子力機構、2.アルバックテクノ)