[16p-Y1311-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[16p-Y1311-13] In₂O₃:Hのギャップ内状態密度分布の直接観察と薄膜トランジスタ不安定性の起源

〇(PC)中澤 遼太郎¹、曲 勇作²、太田 裕道²、解良 聡¹ (1.分子研、2.北大電子研)

キーワード：

透明導電性酸化物、ギャップ内準位、状態密度

透明導電性酸化物のIn₂O₃:Hは高移動度を有することから注目を集める材料であるが、素子特性が作製条件で敏感に変化したりストレスで容易に劣化したりする課題を持つ。半導体の電気物性や素子劣化の起源として価電子帯と伝導帯の間の微小な電子状態 (ギャップ内準位) が提案されている。本研究では、試料損傷を抑えつつ平均自由行程が長くなる低エネルギー励起光を用いた高感度紫外光電子分光によりIn₂O₃:Hのギャップ内状態密度のエネルギー分布を実測した。さらに、光照射により光誘起ギャップ内準位が生成されることを発見した。講演では光誘起ギャップ内準位や素子劣化の起源についても議論する予定である。