セッション詳細

[16p-Y1311-1~15]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2025年3月16日(日) 13:00 〜 17:15
Y1311 (13号館)
大島 孝仁(物材機構)、 宇野 和行(和歌山大)

[16p-Y1311-1]酸素、窒素ラジカル同時供給による高濃度窒素ドープGa2O3薄膜のプラズマ援用MBE成長 (1)

〇(M1)稲嶌 仁1、中岡 蔵1、谷口 奨季1、上原 知起1、辻本 晃基1、寺村 祐輔1、本田 智子1、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
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[16p-Y1311-2]酸素、窒素ラジカル同時供給による高濃度窒素ドープGa2O3薄膜のプラズマ援用MBE成長 (2)

〇(B)辻本 晃基1、中岡 蔵1、谷口 奨季1、稲嶌 仁1、上原 知起1、寺村 祐輔1、本田 智子1、沈 用球1、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
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[16p-Y1311-3]プラズマ援用MBE成長した窒素ドープGa2O3ショットキーバリアダイオードの電気的特性

〇(M1)上原 知起1、谷口 奨季1、辻本 晃基1、中岡 蔵1、稲嶌 仁1、寺村 祐輔1、本田 智子1、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
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[16p-Y1311-4]窒素ドープβ-Ga2O3ホモエピタキシャル層のHVPE成長

〇河野 有佑1、木川 孝俊1、角田 健太郎1、熊谷 義直1,2 (1.東京農工大、2.東京農工大 FLOuRISH)
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[16p-Y1311-5]α-Ga2O3を用いたショットキーバリアダイオードのレクテナへの応用

〇若松 岳1、藤田 静雄1、金子 健太郎1,2、大野 泰夫3、平岡 知己3、田中 勝久1 (1.京都大、2.立命館大、3.(株)レーザーシステム)
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[16p-Y1311-6]絶縁膜堆積後熱処理による高品質SiO2/β–Ga2O3 MOS構造の形成

〇前田 兼成1、小林 拓真1、原 征大1、野崎 幹人1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
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[16p-Y1311-7]Mist CVD法によるα-Cr2O3テンプレート上α-Ga2O3成長と結晶評価

〇(M2)山田 琴乃1、飯田 隆真1、肖 世玉2、村上 和仁2、尾沼 猛儀1、本田 徹1、渡邊 守道2、山口 智広1 (1.工学院大、2.日本ガイシ(株))
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[16p-Y1311-8]β-Ga2O3基板上に成長した(AlxScyGa1−xy)2O3混晶薄膜の格子整合性

〇是石 和樹1、相馬 拓人1、大友 明1 (1.科学大物質理工)
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[16p-Y1311-9]減圧ホットウォールMOCVD成長したSiドープGa2O3薄膜の電気的特性に対する高温アニール処理の影響

〇(M1)森原 淳1、坂東 舞生1、吉永 純也2,3、熊谷 義直2、東脇 正高1,4 (1.大阪公立大院工、2.東京農工大院工、3.大陽日酸、4.情通機構)
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[16p-Y1311-10]ミストCVD 法による岩塩構造MgZnO 多重量子井戸の製作と井戸層薄層化による量子効果の観測

〇愛智 宏行1、小川 広太郎1、三富 俊希1、高橋 風貴1、田中 恭輔1、山口 智広1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大)
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[16p-Y1311-11]サファイア基板上岩塩構造 MgZnO 薄膜成長における徐冷の効果

〇木村 航介1、嶋 紘平2、松尾 浩一3、内田 浩二3、大野 篤史3、秩父 重英2、金子 健太郎4 (1.立命館大理工、2.東北大多元研、3.岩崎電気(株)、4.立命館大半導体応用研究センター)
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[16p-Y1311-12]傾斜バッファ層による非水溶性ルチル構造酸化ゲルマニウム薄膜の成長

〇島添 和樹1、清家 一朗1、鐘ケ江 一孝1、西中 浩之1 (1.京都工繊電子)
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[16p-Y1311-13]In2O3:Hのギャップ内状態密度分布の直接観察と薄膜トランジスタ不安定性の起源

〇(PC)中澤 遼太郎1、曲 勇作2、太田 裕道2、解良 聡1 (1.分子研、2.北大電子研)
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[16p-Y1311-14]デバイスシミュレーションの高速逆解析を用いたアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの欠陥分布温度依存性の解析

〇(D)清水 篤1、木村 公俊1、井手 啓介1、片瀬 貴義1、平松 秀典1、細野 秀雄1、神谷 利夫1 (1.科学大)
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[16p-Y1311-15]多結晶Ga添加 In2O3電界効果トランジスタにおける電極材料及びチャネル中Ga濃度が接触抵抗に与える影響

〇星川 輝1、高橋 崇典1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大)
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