[17a-K305-1~9] 3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

9:00 〜 9:15

[17a-K305-1] 側方入射構造を用いた導波路結合型高飽和電流Ge-on-Si光検出器

〇唐 睿¹、岡野 誠²、張 超¹、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大、2.産総研)

キーワード：

光検出器