セッション詳細
[17a-K305-1~9]3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御
2025年3月17日(月) 9:00 〜 11:30
K305 (講義棟)
[17a-K305-1]側方入射構造を用いた導波路結合型高飽和電流Ge-on-Si光検出器
〇唐 睿1、岡野 誠2、張 超1、トープラサートポン カシディット1、高木 信一1、竹中 充1 (1.東大、2.産総研)
[17a-K305-2]二光子吸収アバランシェフォトダイオードアレイ ---電流増幅の実験実証
〇小山 希1、杉原 興浩1、近藤 圭祐1 (1.宇大院)
[17a-K305-3]Short-Wave Infrared GeSn Waveguide Photodetector on Silicon
Ting-Yu Chen1, Soumava Ghosh1, Cheng-Ting Kuo1, Yue-Tong Jheng1, 〇Guo-En Chang1 (1.National Chung Cheng Univ.)
[17a-K305-4]薄膜ニオブ酸リチウム変調器一体型波長可変ヘテロジニアス光送信器
〇平田 章太郎1、片岡 優1、高野 真悟1、清水 亮1、北 智洋2 (1.住友大阪セメント株式会社、2.早稲田大学)
[17a-K305-5]Investigation of III-V/SOI hybrid laser structure with Si double-ring-resonators and SiN front-side coupling
〇Moataz Eissa1, Yoshitaka Ohiso1, Tsuyoshi Horikawa1, Nobuhiko Nishiyama1,2,3 (1.EEE Dept., 2.IIR, 3.PETRA)
[17a-K305-6]標準シリコンフォトニクスにおけるMOSFETの短チャネル効果抑制のための設計
〇宮武 悠人1、竹中 充1、池田 誠1 (1.東大院工)
[17a-K305-7]Design of Layer-to-Layer Coupler between Si and SiON Waveguides using Low Index (~1.6) SiON
〇(M1)Haoyu Chen1, Eissa Moataz1, Kaibin Yao1, Tsuyoshi Horikawa1, Nobuhiko Nishiyama1,2 (1.Science Tokyo, 2.PETRA)
[17a-K305-8]OFDRによるSiフォトニクス素子の解析(IV)
〇名和 翔太1、鎌田 幹也1、佐藤 翼1、馬場 俊彦1 (1.横国大院工)
[17a-K305-9]二次元回折格子を用いた単層フルカラーARグラスの提案
〇前川 永遠1、永松 周1、向 立昕1、野田 真司2、岡田 祥3、白神 賢2、雨宮 智宏1 (1.東京科学大学、2.Cellid株式会社、3.情報通信研究機構)