[17a-K309-1~9] 3.12 半導体光デバイス

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[17a-K309-4] 並列リッジ導波路構造による高出力量子ドットレーザーの特性評価

〇丸山 晴己^1,2、簗瀬 智史^1,2、赤羽 浩一²、前田 智弘^1,2、外林 秀之¹ (1.青学大理工、2.情報機構)

キーワード：

量子ドット、並列リッジ導波路構造、高出力レーザー

本研究では、リッジ導波路を複数並べた1550 nm帯の低しきい値電流の高出力QD-LDを作製し、特性評価とBA-LDとの比較を行った。結果としてリッジ導波路を並べたQD-LDの方が低い電流で高い光強度が得られた。