セッション詳細
[17a-K309-1~9]3.12 半導体光デバイス
2025年3月17日(月) 10:00 〜 12:30
K309 (講義棟)
[17a-K309-1]ガスアウトチャネルを有する親水性直接貼付InP/Si基板におけるボイド密度のチャネル寸法依存性
〇(DC)趙 亮1、黒井 瑞生1、班 朝克1、下村 和彦1 (1.上智大工)
[17a-K309-2]部分的な利得領域を有するスタジアム形カオス共振器のモード解析
〇福嶋 丈浩1、長野 晃太1 (1.岡山県立大情報工)
[17a-K309-3]1-µm帯InGaAs半導体薄膜レーザの提案と光閉じ込めの検討
〇(B)伊藤 竣1、大磯 義孝1、吉田 俊1、西山 伸彦1,2 (1.科学大工、2.科学大総合研究院)
[17a-K309-4]並列リッジ導波路構造による高出力量子ドットレーザーの特性評価
〇丸山 晴己1,2、簗瀬 智史1,2、赤羽 浩一2、前田 智弘1,2、外林 秀之1 (1.青学大理工、2.情報機構)
[17a-K309-5]薄膜LN導波路を用いた狭線幅波長可変単一モードレーザの特性解析
〇陳 克霖1,2、松本 敦2、赤羽 浩一2、山本 直克2、前田 智弘1,2、外林 秀之1 (1.青学大理工、2.情報機構)
[17a-K309-6]塩素系中性粒子ビームによるAlGaInP赤色マイクロLEDのためのGaP加工特性
〇(B)栗林 高大1、大堀 大介1、王 学論3,4、遠藤 和彦1,2、寒川 誠二4,1 (1.東北大流体研、2.産総研、3.名大IMaSS、4.NYCU)
[17a-K309-7]InGaAs/GaAsSb Type-II量子井戸からの広帯域発光とスーパールミネッセントダイオードへの適用検討
〇中野 光1、國武 幸一郎1、栁本 拓海1、臼井 一旗1、髙島 陸人1、藤澤 剛2、荒井 昌和1 (1.宮崎大工、2.法政大工)
[17a-K309-8]有機金属気相成長法によるGaAs基板上1.3ミクロン帯InGaAs/GaAsSb/InGaAs Type-IIレーザの作製
〇柳本 拓海1、臼井 一旗1、髙島 陸人1、國武 幸一郎1、中野 光1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工)
[17a-K309-9]垂直微小共振器量子ドット単一光子源のための共鳴トンネル注入の研究
〇喜多村 友大1、山口 凌平1、田口 朋弥1、林 文博1、岩本 敏2、荒川 泰彦3、中川 茂1 (1.科学大、2.東大先端研、3.東大ナノ量子)